量子摩尔定律问世 量子体积真的会一直遵照IBM这个公式增加吗 

半导体技术蓬勃发展，即将面临积体电路微缩化的三奈米制程极限，因此科学家除改善积体电路中电晶体的基本架构外，亦积极寻找具有优异物理特性且能微缩至原子尺度（<1 奈米）的电晶体材料。

 台湾团队：单原子层厚度的二极管

 台湾成大物理系吴忠霖教授与同步辐射研究中心陈家浩博士所组成的国内研究团队，在全球众多竞争团队中脱颖而出，成功地研发出仅有单原子层厚度(0.7奈米)且具优异的逻辑开关特性的二硒化钨（WSe2）二极管，并在「自然通讯Nature Communications」杂志上发表研究成果。

 此二维单原子层二极管的诞生，更加轻薄，效率更高，除了可超越『摩尔定律』进行后硅时代电子元件的开发，以追求元件成本/耗能/速度最佳化的产业价值外，并可满足未来人工智慧芯片与机器学习所需大量计算效能的需求。

 二维材料具有许多独特的物理与化学性质，科学家相信这些性质能为计算机和通信等多方领域带来革命性冲击。其中与石墨烯（Graphene）同属二维材料的二硒化钨（WSe2），是一种过渡金属二硫族化合物（Transition Metal Dichalcogenides, 简称TMDs），能够在单化合原子层的厚度（约0.7 奈米）内展现绝佳的半导体传输特性，相比以往的传统硅半导体材料，除了厚度上已超越三奈米的制程极限外，可完全满足次世代积体电路所需更薄、更小、更快的需求。

 研究团队利用同时兼具高亮度/高能量解析/高显微力的台湾『三高』同步辐射光源，成功观察到可以利用乘载二维材料的铁酸铋（BiFeO3）铁电氧化物基板，能有效地在奈米尺度下改变单原子层二硒化钨半导体不同区域的电性。吴忠霖教授表示，相较以往只能利用元素参杂或加电压电极等改变电性的方式，本研究无需金属电极的加入，为极重大的突破。